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            Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優異的RDS(ON) 導通電阻低至0.65mΩ


            作者:    時間:2022/2/10 16:00:17  來源:   
            小型器件采用無引線鍵合鷗翼引線結構,提高板級可靠性
             
            賓夕法尼亞、MALVERN — 20222月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,提高通信和工業應用功率密度、能效和板級可靠性。為實現設計目標,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低導通電阻,工作溫度可達+175 °C以及高連續漏極電流。節省空間的PowerPAK® 8x8L封裝采用無引線鍵合鷗翼引線結構消除機械應力,有助于提高板級可靠性。
             
            SiJH600E和SiJH800E超低導通電阻—10 V下典型值分別為0.65 mΩ和1.22 mΩ—比同代PowerPAK SO-8封裝器件分別降低54 %和52 %,從而減小了傳導功耗,實現節能的效果。
             
            為提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E連續漏極電流分別為373 A和288 A,封裝占位面積比D2PAK封裝減小60 %,高度降低57 %。為節省電路板空間,每款MOSFET還可以用來取代兩個并聯的PowerPAK SO-8器件。
             
            器件規格表:
            產品型號
            VDS (V)
            ID (A)
            RDS(ON) @ 10 V (mΩ)
            Rthjc (°C/W)
            SiJH600E
            60
            373
            0.65
            0.36
            SiJH800E
            80
            299
            1.22
            0.36
             
            Vishay Siliconix器件工作溫度可達+175 °C,性能穩定可靠,適用于電源、電機驅動控制、電池管理和電動工具等應用同步整流。器件采用無鉛 (Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。
             
            封裝對比表:
            封裝
            長 (mm)
            寬 (mm)
            高 (mm)
            尺寸 (長x寬mm2)
            PowerPAK 8x8L
            8.0
            7.9
            1.8
            63.2
            D2PAK (TO-263)
            15.2
            10
            4.4
            152
             
            SiJH600E和SiJH800E現可提供樣品。產品供貨周期和數量的相關信息,請與Vishay或我們的經銷商聯系。
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